Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Tape & Reel (TR)
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  30 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  3.9A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  1.8V, 8V
• rds op (max) @ id, vgs
  60mOhm @ 500mA, 8V
• vgs(th) (max) @ id
  1.1V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  1.677 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±12V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  192 pF @ 15 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  790mW
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  X4-DSN1006-3
• Package / Fall
  3-XFDFN