Spezifikatioune

• Serie
  eGaN®
• Package
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  GaNFET (Gallium Nitride)
• drain to source voltage (vdss)
  200 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  48A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  5V
• rds op (max) @ id, vgs
  8mOhm @ 20A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 7mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  11 nC @ 5 V
• vgs (max)
  +6V, -4V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  1140 pF @ 100 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  -
• Betribssystemer Temperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  Die
• Package / Fall
  Die