Spezifikatioune

• Serie
  eGaN®
• Package
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• fet Fonktioun
  GaNFET (Gallium Nitride)
• drain to source voltage (vdss)
  100V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  1.7A, 500mA
• rds op (max) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• Muecht - max
  -
• Betribssystemer Temperatur
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Package / Fall
  9-VFBGA
• Fournisseur Apparat Package
  9-BGA (1.35x1.35)