MBR60060CT

MBR60060CT

Fabrikant beschwéiert

GeneSiC Semiconductor

Produit Kategorie

diodes - rectifiers - arrays

Beschreiwung

DIODE MODULE 60V 300A 2TOWER

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • diode Configuratioun
    1 Pair Common Cathode
  • diode Typ
    Schottky
  • Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
    60 V
  • Stroum - Moyenne riicht (io) (pro Diode)
    300A
  • Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
    800 mV @ 300 A
  • Vitesse
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
    1 mA @ 20 V
  • Betribssystemer Temperatur - Kräizung
    -50°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Twin Tower
  • Fournisseur Apparat Package
    Twin Tower

MBR60060CT Ufro en Devis

Op Lager 1351
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
100.12600
Zilpräis:
Ganzen:100.12600

Informatiounsblat