MUR20010CT

MUR20010CT

Fabrikant beschwéiert

GeneSiC Semiconductor

Produit Kategorie

diodes - rectifiers - arrays

Beschreiwung

DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • diode Configuratioun
    1 Pair Common Cathode
  • diode Typ
    Schottky
  • Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
    100 V
  • Stroum - Moyenne riicht (io) (pro Diode)
    200A (DC)
  • Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
    1.3 V @ 100 A
  • Vitesse
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    75 ns
  • aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
    25 µA @ 50 V
  • Betribssystemer Temperatur - Kräizung
    -55°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Twin Tower
  • Fournisseur Apparat Package
    Twin Tower

MUR20010CT Ufro en Devis

Op Lager 1450
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
81.33480
Zilpräis:
Ganzen:81.33480

Informatiounsblat