MURTA500120

MURTA500120

Fabrikant beschwéiert

GeneSiC Semiconductor

Produit Kategorie

diodes - rectifiers - arrays

Beschreiwung

DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • diode Configuratioun
    1 Pair Common Cathode
  • diode Typ
    Standard
  • Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
    1200 V
  • Stroum - Moyenne riicht (io) (pro Diode)
    250A
  • Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
    2.6 V @ 250 A
  • Vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
    25 µA @ 1200 V
  • Betribssystemer Temperatur - Kräizung
    -55°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Three Tower
  • Fournisseur Apparat Package
    Three Tower

MURTA500120 Ufro en Devis

Op Lager 1338
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
133.82667
Zilpräis:
Ganzen:133.82667

Informatiounsblat