BSZ120P03NS3GATMA1

BSZ120P03NS3GATMA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

Spezifikatioune

  • Serie
    OptiMOS™
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    P-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    30 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    11A (Ta), 40A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    6V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    12mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.1V @ 73µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    45 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±25V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    3360 pF @ 15 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    2.1W (Ta), 52W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-TSDSON-8
  • Package / Fall
    8-PowerTDFN

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Eenheetspräis (Referenzpräis):
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