BYM300B170DN2HOSA1

BYM300B170DN2HOSA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 650V 40A 20MW

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tray
  • Deel Status
    Last Time Buy
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Configuratioun
    2 Independent
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    40 A
  • Muecht - max
    20 mW
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.55V @ 15V, 25A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    40 µA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    2.8 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

BYM300B170DN2HOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 1174
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
231.63000
Zilpräis:
Ganzen:231.63000

Informatiounsblat