FF1200R17KE3NOSA1

FF1200R17KE3NOSA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MODULE VCES 1700V 1200A

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Not For New Designs
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    Single Chopper
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1700 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    -
  • Muecht - max
    595000 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.45V @ 15V, 1200A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    5 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    110 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    No
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FF1200R17KE3NOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 949
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1415.99000
Zilpräis:
Ganzen:1415.99000

Informatiounsblat