FS50R07N2E4BOSA1

FS50R07N2E4BOSA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MODULE 650V 70A 190W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tray
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    Full Bridge Inverter
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    70 A
  • Muecht - max
    190 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 50A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    1 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    3.1 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FS50R07N2E4BOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 6643
Quantitéit:
Zilpräis:
Ganzen:0

Informatiounsblat