FS50R12W2T4B11BOMA1

FS50R12W2T4B11BOMA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 1200V 83A 335W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tray
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Configuratioun
    Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    83 A
  • Muecht - max
    335 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 50A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    1 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    2.8 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FS50R12W2T4B11BOMA1 Ufro en Devis

Op Lager 1859
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
54.92600
Zilpräis:
Ganzen:54.92600

Informatiounsblat