FZ800R12KE3HOSA1

FZ800R12KE3HOSA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 1200V 800A 3550W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Configuratioun
    Single
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    800 A
  • Muecht - max
    3550 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 800A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    5 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    56 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    No
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FZ800R12KE3HOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 1227
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
191.18000
Zilpräis:
Ganzen:191.18000

Informatiounsblat