FZ800R12KS4B2NOSA1

FZ800R12KS4B2NOSA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MOD 1200V 1200A 7600W

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tray
  • Deel Status
    Last Time Buy
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    Single
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    1200 A
  • Muecht - max
    7600 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    3.7V @ 15V, 800A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    5 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    52 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    No
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 125°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

FZ800R12KS4B2NOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 878
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1366.22000
Zilpräis:
Ganzen:1366.22000

Informatiounsblat