Spezifikatioune

• Serie
  CoolSiC™+
• Package
  Tube
• Deel Status
  Active
• diode Configuratioun
  1 Pair Common Cathode
• diode Typ
  Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
  1200 V
• Stroum - Moyenne riicht (io) (pro Diode)
  31A
• Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
  1.65 V @ 10 A
• Vitesse
  Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
  -
• aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
  83 µA @ 1200 V
• Betribssystemer Temperatur - Kräizung
  -55°C ~ 175°C
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Package / Fall
  TO-247-3
• Fournisseur Apparat Package
  PG-TO247-3