IGB03N120H2ATMA1

IGB03N120H2ATMA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Deel Status
    Last Time Buy
  • igbt Typ
    -
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    9.6 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    9.9 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.8V @ 15V, 3A
  • Muecht - max
    62.5 W
  • Energie wiesselen
    290µJ
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    22 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    9.2ns/281ns
  • Test Zoustand
    800V, 3A, 82Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-TO263-3-2

IGB03N120H2ATMA1 Ufro en Devis

Op Lager 18826
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.11090
Zilpräis:
Ganzen:1.11090

Informatiounsblat