IPD50R1K4CEAUMA1

IPD50R1K4CEAUMA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3

Spezifikatioune

  • Serie
    CoolMOS™ CE
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    500 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    3.1A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    13V
  • rds op (max) @ id, vgs
    1.4Ohm @ 900mA, 13V
  • vgs(th) (max) @ id
    3.5V @ 70µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    8.2 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    178 pF @ 100 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    42W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-TO252-3
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50R1K4CEAUMA1 Ufro en Devis

Op Lager 37941
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.54000
Zilpräis:
Ganzen:0.54000

Informatiounsblat