SGB07N120ATMA1

SGB07N120ATMA1

Fabrikant beschwéiert

IR (Infineon Technologies)

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 1200V 16.5A 125W TO263-3-2

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Deel Status
    Last Time Buy
  • igbt Typ
    NPT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    16.5 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    27 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    3.6V @ 15V, 8A
  • Muecht - max
    125 W
  • Energie wiesselen
    1mJ
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    70 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    27ns/440ns
  • Test Zoustand
    800V, 8A, 47Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-TO263-3-2

SGB07N120ATMA1 Ufro en Devis

Op Lager 14148
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.27220
Zilpräis:
Ganzen:2.27220

Informatiounsblat