Spezifikatioune

• Serie
  BIMOSFET™
• Package
  Tube
• Deel Status
  Not For New Designs
• igbt Typ
  -
• Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
  3600 V
• aktuell - Sammler (ic) (max)
  70 A
• Stroum - Sammler gepulst (ICM)
  420 A
• vce(an) (max) @ vge, ic
  2.9V @ 15V, 50A
• Muecht - max
  290 W
• Energie wiesselen
  -
• Input Typ
  Standard
• Gate charge
  210 nC
• td (an/aus) @ 25°c
  46ns/205ns
• Test Zoustand
  960V, 50A, 5Ohm, 15V
• ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
  1.7 µs
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Package / Fall
  i4-Pac™-5 (3 Leads)
• Fournisseur Apparat Package
  ISOPLUS i4-PAC™