APT35GP120B2D2G

APT35GP120B2D2G

Fabrikant beschwéiert

Roving Networks / Microchip Technology

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247

Spezifikatioune

  • Serie
    POWER MOS 7®
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    PT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    96 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    140 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    3.9V @ 15V, 35A
  • Muecht - max
    540 W
  • Energie wiesselen
    1mJ (on), 1.185mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    150 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    14ns, 99ns
  • Test Zoustand
    800V, 35A, 5Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    85 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3 Variant
  • Fournisseur Apparat Package
    T-MAX™ [B2]

APT35GP120B2D2G Ufro en Devis

Op Lager 4205
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
15.04000
Zilpräis:
Ganzen:15.04000