APTGT100A120D1G

APTGT100A120D1G

Fabrikant beschwéiert

Microsemi

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MODULE 1200V 150A 520W D1

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Configuratioun
    Half Bridge
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    150 A
  • Muecht - max
    520 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 100A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    3 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    7 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    No
  • Betribssystemer Temperatur
    -
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    D1
  • Fournisseur Apparat Package
    D1

APTGT100A120D1G Ufro en Devis

Op Lager 5241
Quantitéit:
Zilpräis:
Ganzen:0

Informatiounsblat