Spezifikatioune

• Serie
  TrenchMOS™
• Package
  Tape & Reel (TR)
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  60 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  190mA (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  5V, 10V
• rds op (max) @ id, vgs
  4.5Ohm @ 100mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  0.43 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±20V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  20 pF @ 10 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  265mW (Ta)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  TO-236AB
• Package / Fall
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3