Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Bag
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  100 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  20A
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  5V
• rds op (max) @ id, vgs
  120mOhm @ 10A, 5V
• vgs(th) (max) @ id
  2.5V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  30 nC @ 5 V
• vgs (max)
  ±15V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  1500 pF @ 25 V
• fet Fonktioun
  Logic Level Gate, 4V Drive
• Energieverbrauch (max)
  105W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  175°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-220
• Package / Fall
  TO-220-3