Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  60 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  200mA (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  4.5V, 10V
• rds op (max) @ id, vgs
  5Ohm @ 500mA, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3V @ 1mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (max)
  ±20V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  50 pF @ 25 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  400mW (Ta)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-92-3
• Package / Fall
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)