AFGY100T65SPD

AFGY100T65SPD

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR

Spezifikatioune

  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    120 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    300 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.05V @ 15V, 100A
  • Muecht - max
    660 W
  • Energie wiesselen
    5.1mJ (on), 2.7mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    109 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    36ns/78ns
  • Test Zoustand
    400V, 100A, 5Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    105 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

AFGY100T65SPD Ufro en Devis

Op Lager 6725
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
8.63000
Zilpräis:
Ganzen:8.63000