FDC645N

FDC645N

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6

Spezifikatioune

  • Serie
    PowerTrench®
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    30 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    5.5A (Ta)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    26mOhm @ 6.2A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    21 nC @ 4.5 V
  • vgs (max)
    ±12V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    1460 pF @ 15 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    1.6W (Ta)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    SuperSOT™-6
  • Package / Fall
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

FDC645N Ufro en Devis

Op Lager 32133
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.64000
Zilpräis:
Ganzen:0.64000

Informatiounsblat