FGA60N65SMD

FGA60N65SMD

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT FIELD STOP 650V 120A TO3P

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    120 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    180 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.5V @ 15V, 60A
  • Muecht - max
    600 W
  • Energie wiesselen
    1.54mJ (on), 450µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    189 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    18ns/104ns
  • Test Zoustand
    400V, 60A, 3Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    47 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-3P

FGA60N65SMD Ufro en Devis

Op Lager 8015
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
4.21000
Zilpräis:
Ganzen:4.21000

Informatiounsblat