FGY75T95SQDT

FGY75T95SQDT

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 950V 75A

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    950 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    150 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    300 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.11V @ 15V, 75A
  • Muecht - max
    434 W
  • Energie wiesselen
    8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    137 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    28.8ns/117ns
  • Test Zoustand
    600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    259 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3 Variant
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

FGY75T95SQDT Ufro en Devis

Op Lager 5874
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
10.09000
Zilpräis:
Ganzen:10.09000