FQB44N10TM

FQB44N10TM

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK

Spezifikatioune

  • Serie
    QFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    100 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    43.5A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    39mOhm @ 21.75A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    62 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±25V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    1800 pF @ 25 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    3.75W (Ta), 146W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    D²PAK (TO-263AB)
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FQB44N10TM Ufro en Devis

Op Lager 12222
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.77000
Zilpräis:
Ganzen:1.77000

Informatiounsblat