HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    NPT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    5.3 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    6 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.9V @ 15V, 1A
  • Muecht - max
    60 W
  • Energie wiesselen
    70µJ (on), 90µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    14 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    15ns/67ns
  • Test Zoustand
    960V, 1A, 82Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-252AA

HGTD1N120BNS9A Ufro en Devis

Op Lager 14205
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.51000
Zilpräis:
Ganzen:1.51000

Informatiounsblat