NGTB25N120FL3WG

NGTB25N120FL3WG

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 1200V 100A TO247

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    100 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    100 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 25A
  • Muecht - max
    349 W
  • Energie wiesselen
    1mJ (on), 700µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    136 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    15ns/109ns
  • Test Zoustand
    600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    114 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

NGTB25N120FL3WG Ufro en Devis

Op Lager 9151
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
5.99000
Zilpräis:
Ganzen:5.99000

Informatiounsblat