NXH50C120L2C2ESG

NXH50C120L2C2ESG

Fabrikant beschwéiert

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG

RFQ E-Mail: [email protected] or Ufroen online

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    Three Phase Inverter with Brake
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    50 A
  • Muecht - max
    20 mW
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 50A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    250 µA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    11.897 nF @ 20 V
  • Input
    Three Phase Bridge Rectifier
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • Fournisseur Apparat Package
    26-DIP

NXH50C120L2C2ESG Ufro en Devis

Op Lager 1803
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
59.50000
Zilpräis:
Ganzen:59.50000