Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Tray
• Deel Status
  Active
• diode Typ
  Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
  1200 V
• aktuell - Moyenne rectified (io)
  61A (DC)
• Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
  1.75 V @ 40 A
• Vitesse
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
  0 ns
• aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
  200 µA @ 1200 V
• Kapazitéit @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Package / Fall
  Die
• Fournisseur Apparat Package
  Die
• Betribssystemer Temperatur - Kräizung
  -55°C ~ 175°C