RM2020ES9

RM2020ES9

Fabrikant beschwéiert

Rectron USA

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - arrays

Beschreiwung

MOSFET N&P-CH 20V SOT363

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N and P-Channel
  • fet Fonktioun
    Standard
  • drain to source voltage (vdss)
    20V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    750mA (Ta), 800mA (Ta)
  • rds op (max) @ id, vgs
    1.2Ohm @ 500mA, 4.5V, 380mOhm @ 650mA, 4.5V
  • vgs(th) (max) @ id
    1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    1.8pC @ 10V, 750pC @ 4.5V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    87pF @ 10V, 120pF @ 16V
  • Muecht - max
    150mW (Ta), 800mW (Ta)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Fournisseur Apparat Package
    SOT-363

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