RJH60D5BDPQ-E0#T2

RJH60D5BDPQ-E0#T2

Fabrikant beschwéiert

Renesas Electronics America

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 600V 75A 200W TO-247

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    600 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    75 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    -
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.2V @ 15V, 37A
  • Muecht - max
    200 W
  • Energie wiesselen
    400µJ (on), 810µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    78 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    50ns/130ns
  • Test Zoustand
    300V, 37A, 5Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    25 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247

RJH60D5BDPQ-E0#T2 Ufro en Devis

Op Lager 10689
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
5.12000
Zilpräis:
Ganzen:5.12000

Informatiounsblat