Spezifikatioune

• Serie
  -
• Package
  Tray
• Deel Status
  Obsolete
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  600 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  17A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  10V
• rds op (max) @ id, vgs
  610mOhm @ 7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  -
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  46 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±30V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  1200 pF @ 30 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  2.5W (Ta), 170W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-3PB
• Package / Fall
  TO-3P-3, SC-65-3