Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  2 N-Channel (Dual)
• fet Fonktioun
  Logic Level Gate
• drain to source voltage (vdss)
  30V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  5.3A
• rds op (max) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.7A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3V @ 100µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  21nC @ 10V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  515pF @ 25V
• Muecht - max
  2.4W
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Package / Fall
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Fournisseur Apparat Package
  8-SO