Spezifikatioune

• Serie
  HEXFET®
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Obsolete
• fet Typ
  P-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  55 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  11A (Tc)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  10V
• rds op (max) @ id, vgs
  175mOhm @ 6.6A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  4V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  19 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±20V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  350 pF @ 25 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  38W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  D-PAK (TO-252AA)
• Package / Fall
  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63