Spezifikatioune

• Serie
  NexFET™
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  25 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  22A (Ta), 113A (Tc)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  -
• rds op (max) @ id, vgs
  4.5mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  2.1V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  8.9 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  +16V, -12V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  1300 pF @ 12.5 V
• fet Fonktioun
  -
• Energieverbrauch (max)
  3.1W (Ta)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  8-VSON-CLIP (5x6)
• Package / Fall
  8-PowerTDFN