DF120R12W2H3B27BOMA1

DF120R12W2H3B27BOMA1

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

DF120R12W - IGBT MODULE

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    -
  • Configuratioun
    Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1.2 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    50 A
  • Muecht - max
    180 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    1 mA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    2.35 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

DF120R12W2H3B27BOMA1 Ufro en Devis

Op Lager 2003
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
44.58000
Zilpräis:
Ganzen:44.58000

Informatiounsblat