DF200R12PT4B6BOSA1

DF200R12PT4B6BOSA1

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Moduler

Beschreiwung

DFXR12P - IGBT MODULE

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Configuratioun
    Three Phase Inverter
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1.2 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    300 A
  • Muecht - max
    1.1 W
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 200A
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    15 µA
  • Input Kapazitéit (Cies) @ vce
    12.5 nF @ 25 V
  • Input
    Standard
  • ntc Thermistor
    Yes
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 150°C
  • Montéierung Typ
    Chassis Mount
  • Package / Fall
    Module
  • Fournisseur Apparat Package
    Module

DF200R12PT4B6BOSA1 Ufro en Devis

Op Lager 1143
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
166.67000
Zilpräis:
Ganzen:166.67000

Informatiounsblat