Spezifikatioune

• Serie
  PowerTrench®
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  P-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  20 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  2.2A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  2.5V, 4.5V
• rds op (max) @ id, vgs
  150mOhm @ 2.2A, 4.5V
• vgs(th) (max) @ id
  1.5V @ 250µA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  5.2 nC @ 4.5 V
• vgs (max)
  ±12V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  369 pF @ 10 V
• fet Fonktioun
  Schottky Diode (Isolated)
• Energieverbrauch (max)
  960mW (Ta)
• Betribssystemer Temperatur
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Surface Mount
• Fournisseur Apparat Package
  SuperSOT™-6
• Package / Fall
  SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6