FDD6796

FDD6796

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 25V 20A/40A DPAK

Spezifikatioune

  • Serie
    PowerTrench®
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    25 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    20A (Ta), 40A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    5.7mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    3V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    41 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    2.315 pF @ 13 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    3.7W (Ta), 42W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    D-PAK (TO-252)
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDD6796 Ufro en Devis

Op Lager 33662
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.61000
Zilpräis:
Ganzen:0.61000

Informatiounsblat