FGA20S120M

FGA20S120M

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT, 40A, 1200V, N-CHANNEL

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1.2 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    40 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    60 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.85V @ 15V, 20A
  • Muecht - max
    348 W
  • Energie wiesselen
    -
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    208 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    -
  • Test Zoustand
    -
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-3P

FGA20S120M Ufro en Devis

Op Lager 15416
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
2.07000
Zilpräis:
Ganzen:2.07000

Informatiounsblat