FGH50N3

FGH50N3

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    PT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    300 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    75 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    240 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.4V @ 15V, 30A
  • Muecht - max
    463 W
  • Energie wiesselen
    130µJ (on), 92µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    180 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    20ns/135ns
  • Test Zoustand
    180V, 30A, 5Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

FGH50N3 Ufro en Devis

Op Lager 8904
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.32000
Zilpräis:
Ganzen:6.32000

Informatiounsblat