FQD5N40TM

FQD5N40TM

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Spezifikatioune

  • Serie
    QFET®
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Obsolete
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    400 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    3.4A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    1.6Ohm @ 1.7A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    13 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    460 pF @ 25 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    2.5W (Ta), 45W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    D-Pak
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD5N40TM Ufro en Devis

Op Lager 25367
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.41000
Zilpräis:
Ganzen:0.41000

Informatiounsblat