HGTG18N120BN

HGTG18N120BN

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    NPT
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1.2 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    54 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    165 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.7V @ 15V, 18A
  • Muecht - max
    390 W
  • Energie wiesselen
    800µJ (on), 1.8mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    165 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    23ns/170ns
  • Test Zoustand
    960V, 18A, 3Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

HGTG18N120BN Ufro en Devis

Op Lager 8749
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
6.32000
Zilpräis:
Ganzen:6.32000

Informatiounsblat