HIP2101EIBZ

HIP2101EIBZ

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

pmic - Gate Chauffeuren

Beschreiwung

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • ugedriwwen Configuratioun
    Half-Bridge
  • Kanal Typ
    Independent
  • Zuel vun Chauffeuren
    2
  • Gate Typ
    N-Channel MOSFET
  • Spannung - Versuergung
    9V ~ 14V
  • logesch Spannung - vil, vih
    0.8V, 2.2V
  • Stroum - Peak Output (Quell, Spull)
    2A, 2A
  • Input Typ
    Non-Inverting
  • Héich Säit Spannung - Max (Bootstrap)
    114 V
  • Erhéijung / Fall Zäit (Typ)
    10ns, 10ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • Fournisseur Apparat Package
    8-SOIC-EP

HIP2101EIBZ Ufro en Devis

Op Lager 11550
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.89000
Zilpräis:
Ganzen:1.89000

Informatiounsblat