Spezifikatioune

• Serie
  CoolSiC™+
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• diode Typ
  Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
  650 V
• aktuell - Moyenne rectified (io)
  12A (DC)
• Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
  1.7 V @ 12 A
• Vitesse
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
  0 ns
• aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
  190 µA @ 650 V
• Kapazitéit @ vr, f
  360pF @ 1V, 1MHz
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Package / Fall
  TO-247-3
• Fournisseur Apparat Package
  PG-TO247-3
• Betribssystemer Temperatur - Kräizung
  -55°C ~ 175°C