IGW50N65H5

IGW50N65H5

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGW50N65 - DISCRETE IGBT WITHOUT

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchStop™ 5
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    80 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    150 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 50A
  • Muecht - max
    305 W
  • Energie wiesselen
    520µJ (on), 180µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    120 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    21ns/180ns
  • Test Zoustand
    400V, 25A, 12Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    PG-TO247-3

IGW50N65H5 Ufro en Devis

Op Lager 12440
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.72000
Zilpräis:
Ganzen:1.72000