IKB30N65ES5ATMA1

IKB30N65ES5ATMA1

Fabrikant beschwéiert

Rochester Electronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IKB30N65 - TRENCHSTOPT HIGH SPEE

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchStop™ 5
  • Package
    Bulk
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    62 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    120 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.7V @ 15V, 30A
  • Muecht - max
    188 W
  • Energie wiesselen
    560µJ (on), 320µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    70 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    17ns/124ns
  • Test Zoustand
    400V, 30A, 13Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    75 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    D²PAK (TO-263AB)

IKB30N65ES5ATMA1 Ufro en Devis

Op Lager 13097
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.64000
Zilpräis:
Ganzen:1.64000

Informatiounsblat